送别!我国半导体材料专家梁骏吾院士逝世

半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾,因病医治无效,于2022年6月23日在北京逝世,享年89岁。

梁骏吾,1933年9月18日出生,湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学,1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位,1960年获技术科学副博士学位。1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。

梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家,在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。上世纪80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面,将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴,他曾在采访中说,希望通过自己的科研经历,带给年轻科研人员一些启发,让他们看到这份事业可以有所作为,让他们觉得自己同样能够作出成绩。

来源:光明网微博

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